NX3020NAKVYL Nexperia
на замовлення 29502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 30.21 грн |
| 19+ | 18.61 грн |
| 100+ | 8.09 грн |
| 1000+ | 5.81 грн |
| 8000+ | 4.78 грн |
| 24000+ | 4.71 грн |
| 48000+ | 3.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3020NAKVYL Nexperia
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 260mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-666.
Інші пропозиції NX3020NAKVYL за ціною від 6.09 грн до 31.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX3020NAKVYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 260mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 |
на замовлення 7623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX3020NAKVYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 260mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 |
товару немає в наявності |