Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX3020NAKW,115
NX3020NAKW,115

NX3020NAKW,115 Nexperia USA Inc.

NX3020NAKW.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 1.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3020NAKW,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX3020NAKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NX3020NAKW,115 за ціною від 2.19 грн до 17.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 NEXPERIA NX3020NAKW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.16 грн
76+5.48 грн
88+4.75 грн
119+3.51 грн
250+3.14 грн
500+2.63 грн
1000+2.34 грн
3000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 Nexperia 4375908615549810nx3020nakw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1382+10.26 грн
2200+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 1382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 Nexperia USA Inc. NX3020NAKW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 1.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 10 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
38+8.00 грн
53+5.67 грн
100+4.62 грн
500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 Nexperia 4375908615549810nx3020nakw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+17.27 грн
74+10.26 грн
118+6.44 грн
500+4.56 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 Nexperia NX3020NAKW.pdf MOSFETs NX3020NAKW/SOT323/SC-70
на замовлення 22156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 NEXPERIA PHGL-S-A0001060146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3020NAKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 Nexperia NX3020NAKW.pdf Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3020NAKW,115; NX3020NAKW.115; NX3020NAKW TNX3020nakw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW.pdf
NX3020NAKW,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.16 грн
76+5.48 грн
88+4.75 грн
119+3.51 грн
250+3.14 грн
500+2.63 грн
1000+2.34 грн
3000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 4375908615549810nx3020nakw.pdf
NX3020NAKW,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1382+10.26 грн
2200+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 1382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW.pdf
NX3020NAKW,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 1.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 10 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.20 грн
38+8.00 грн
53+5.67 грн
100+4.62 грн
500+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 4375908615549810nx3020nakw.pdf
NX3020NAKW,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+17.27 грн
74+10.26 грн
118+6.44 грн
500+4.56 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW.pdf
NX3020NAKW,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX3020NAKW/SOT323/SC-70
на замовлення 22156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 PHGL-S-A0001060146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX3020NAKW,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3020NAKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW.pdf
Виробник: Nexperia
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3020NAKW,115; NX3020NAKW.115; NX3020NAKW TNX3020nakw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.