NX5008NBKHH

NX5008NBKHH Nexperia USA Inc.


NX5008NBKH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.76 грн
20000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX5008NBKHH Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX5008NBKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NX5008NBKHH за ціною від 2.61 грн до 28.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX5008NBKHH NX5008NBKHH Виробник : NEXPERIA 3163641.pdf Description: NEXPERIA - NX5008NBKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NX5008NBKHH NX5008NBKHH Виробник : Nexperia USA Inc. NX5008NBKH.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 26747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.94 грн
60+5.12 грн
69+4.43 грн
100+3.51 грн
250+3.19 грн
500+3.00 грн
1000+2.80 грн
2500+2.64 грн
5000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NX5008NBKHH NX5008NBKHH Виробник : Nexperia NX5008NBKH.pdf MOSFETs NX5008NBKH/SOT8001/DFN0606-3
на замовлення 27990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+8.99 грн
64+5.32 грн
100+3.38 грн
1000+3.23 грн
2500+2.86 грн
10000+2.72 грн
20000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NX5008NBKHH NX5008NBKHH Виробник : NEXPERIA 3163641.pdf Description: NEXPERIA - NX5008NBKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.32 грн
42+19.68 грн
100+12.43 грн
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NX5008NBKHH NX5008NBKHH Виробник : Nexperia nx5008nbkh.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX5008NBKHH Виробник : NEXPERIA nx5008nbkh.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX5008NBKHH NX5008NBKHH Виробник : Nexperia nx5008nbkh.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.