NX5008NBKHH Nexperia


NX5008NBKH.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs 50 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 24765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+8.46 грн
64+5.00 грн
100+3.31 грн
500+3.18 грн
1000+3.04 грн
2500+2.83 грн
5000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX5008NBKHH Nexperia

Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN0606-3, Part Status: Active, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NX5008NBKHH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NX5008NBKHH NX5008NBKHH Nexperia USA Inc. NX5008NBKH.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX5008NBKHH NX5008NBKHH Nexperia USA Inc. NX5008NBKH.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX5008NBKHH NX5008NBKH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX5008NBKHH NX5008NBKH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.