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Технічний опис NX5008NBKMYL Nexperia
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NX5008NBKMYL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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NX5008NBKMYL | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NX5008NBKMYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| NX5008NBKMYL |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX5008NBKMYL |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
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Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)