NX5008NBKMYL NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX5008NBKMYL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NX5008NBKMYL за ціною від 6.38 грн до 16.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX5008NBKMYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NX5008NBKMYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NX5008NBKMYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
NX5008NBKMYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NX5008NBKMYL | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
NX5008NBKMYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
NX5008NBKMYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
NX5008NBKMYL | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT883 N-CH 50V .35A |
товару немає в наявності |