на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30000+ | 1.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX6008NBKR Nexperia
Description: NX6008NBK/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NX6008NBKR за ціною від 1.26 грн до 16.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NX6008NBKR | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX6008NBKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NX6008NBK/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 30 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX6008NBKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NX6008NBK/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 30 V |
на замовлення 28098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX6008NBKR | Виробник : Nexperia |
MOSFET NX6008NBK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 35665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NX6008NBKR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
NX6008NBKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NX6008NBKR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.27W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| NX6008NBKR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.27W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |