Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX6008NBKR
NX6008NBKR

NX6008NBKR Nexperia USA Inc.

NX6008NBK.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 30 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.45 грн
6000+ 2.23 грн
9000+ 1.9 грн
30000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX6008NBKR Nexperia USA Inc.

Description: NX6008NBK/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NX6008NBKR за ціною від 1.33 грн до 15.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NX6008NBKR NX6008NBKR Виробник : Nexperia USA Inc. NX6008NBK.pdf Description: NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 30 V
на замовлення 42731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.65 грн
29+ 9.62 грн
100+ 5.22 грн
500+ 3.85 грн
1000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
NX6008NBKR NX6008NBKR Виробник : Nexperia NX6008NBK.pdf MOSFET NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 35665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.11 грн
31+ 10.08 грн
100+ 3.99 грн
1000+ 2.32 грн
3000+ 1.99 грн
24000+ 1.86 грн
45000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
NX6008NBKR Виробник : NEXPERIA nx6008nbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NX6008NBKR NX6008NBKR Виробник : Nexperia nx6008nbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній