NX6008NBKR

NX6008NBKR Nexperia


nx6008nbk.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX6008NBKR Nexperia

Description: NX6008NBK/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NX6008NBKR за ціною від 1.26 грн до 16.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX6008NBKR NX6008NBKR Виробник : Nexperia nx6008nbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
NX6008NBKR NX6008NBKR Виробник : Nexperia USA Inc. NX6008NBK.pdf Description: NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.76 грн
6000+1.59 грн
9000+1.48 грн
15000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NX6008NBKR NX6008NBKR Виробник : Nexperia USA Inc. NX6008NBK.pdf Description: NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 30 V
на замовлення 28098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
40+7.82 грн
106+2.90 грн
500+2.65 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NX6008NBKR NX6008NBKR Виробник : Nexperia NX6008NBK.pdf MOSFET NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 35665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.74 грн
31+11.17 грн
100+4.41 грн
1000+2.57 грн
3000+2.21 грн
24000+2.06 грн
45000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NX6008NBKR Виробник : NEXPERIA nx6008nbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX6008NBKR NX6008NBKR Виробник : Nexperia nx6008nbk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX6008NBKR Виробник : NEXPERIA NX6008NBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX6008NBKR Виробник : NEXPERIA NX6008NBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 1A; 270mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.