Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX7002AK,215
NX7002AK,215

NX7002AK,215 Nexperia USA Inc.

NX7002AK.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.85 грн
6000+1.58 грн
9000+1.48 грн
15000+1.28 грн
21000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX7002AK,215 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції NX7002AK,215 за ціною від 0.98 грн до 26.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NX7002AK,215 NX7002AK,215 NEXPERIA NX7002AK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.24 грн
76+5.55 грн
90+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia USA Inc. NX7002AK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 24538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.43 грн
54+5.67 грн
100+3.45 грн
500+2.34 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 NEXPERIA 2945028.pdf Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 135929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.48 грн
73+11.24 грн
135+6.05 грн
500+3.78 грн
1000+3.00 грн
5000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NXP/Nexperia/We-En NX7002AK_NXP.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 2347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NXP NX7002AK.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NXP NX7002AK.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
NX7002AK,215
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
63+7.24 грн
76+5.55 грн
90+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 24538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.43 грн
54+5.67 грн
100+3.45 грн
500+2.34 грн
1000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 2945028.pdf
NX7002AK,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 135929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+26.48 грн
73+11.24 грн
135+6.05 грн
500+3.78 грн
1000+3.00 грн
5000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK_NXP.pdf
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 2347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
Виробник: NXP
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
400+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
Виробник: NXP
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
400+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.