Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX7002AK,215
NX7002AK,215

NX7002AK,215 Nexperia USA Inc.

NX7002AK.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.85 грн
9000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX7002AK,215 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm.

Інші пропозиції NX7002AK,215 за ціною від 0.98 грн до 12.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 954000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7390+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 7390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 954000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5515+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 5515 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 NEXPERIA NX7002AK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.13 грн
74+5.62 грн
85+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia USA Inc. NX7002AK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 155108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.28 грн
53+5.66 грн
75+3.99 грн
100+3.24 грн
500+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia NX7002AK.pdf MOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
30+10.26 грн
69+4.38 грн
100+3.37 грн
500+2.49 грн
1000+2.35 грн
3000+1.61 грн
6000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1100+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 NEXPERIA 2945028.pdf Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 126600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NXP/Nexperia/We-En NX7002AK_NXP.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 954000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7390+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 7390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 954000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5515+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 5515 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
NX7002AK,215
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.13 грн
74+5.62 грн
85+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 155108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.28 грн
53+5.66 грн
75+3.99 грн
100+3.24 грн
500+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+10.26 грн
69+4.38 грн
100+3.37 грн
500+2.49 грн
1000+2.35 грн
3000+1.61 грн
6000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1100+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 2945028.pdf
NX7002AK,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 126600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK_NXP.pdf
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.