Продукція > NEXPERIA > NX7002AK,215
NX7002AK,215

NX7002AK,215 Nexperia

1179373747412206nx7002ak.pdf
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.88 грн
9000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX7002AK,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm.

Інші пропозиції NX7002AK,215 за ціною від 0.98 грн до 7.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+1.88 грн
9000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 1068000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.93 грн
9000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 1068000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7318+1.93 грн
9000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 7318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+5.02 грн
500+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2809+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 2809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 NEXPERIA NX7002AK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.29 грн
76+5.59 грн
90+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Nexperia NX7002AK.pdf MOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 127912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 NEXPERIA 2945028.pdf Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 122523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NXP/Nexperia/We-En NX7002AK_NXP.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 2347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NXP NX7002AK.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NXP NX7002AK.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+1.88 грн
9000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 1068000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.93 грн
9000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 1068000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7318+1.93 грн
9000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 7318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
151+5.02 грн
500+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 1179373747412206nx7002ak.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2809+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 2809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
NX7002AK,215
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.29 грн
76+5.59 грн
90+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
NX7002AK,215
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 127912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 2945028.pdf
NX7002AK,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 122523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK_NXP.pdf
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 2347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
Виробник: NXP
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK.pdf
Виробник: NXP
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.