на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 0.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX7002AKVL NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NX7002AKVL за ціною від 1.13 грн до 15.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX7002AKVL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002AKVL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.76A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002AKVL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -888 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 4858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002AKVL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.76A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002AKVL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V |
на замовлення 25683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002AKVL | Виробник : Nexperia |
MOSFET NX7002AK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 156749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002AKVL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -888 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 4858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NX7002AKVL | Виробник : Nexperia Inc. |
MOSFET N-CH 60V SOT23 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
NX7002AKVL Код товару: 178988 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
NX7002AKVL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |