на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30000+ | 2.23 грн |
| 50000+ | 2.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX7002BKHH Nexperia
Description: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NX7002BKHH за ціною від 1.98 грн до 8.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NX7002BKHH | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NX7002BKHH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NX7002BKHH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V |
на замовлення 5487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NX7002BKHH | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT8001 N-CH 60V .35A |
на замовлення 22849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NX7002BKHH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NX7002BKHH | Виробник : NEXPERIA |
60 V, N-channel Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NX7002BKHH | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| NX7002BKHH | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.4A; 380mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 1.4A Power dissipation: 0.38W Case: DFN0606-3; SOT8001 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
|
NX7002BKHH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| NX7002BKHH | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.4A; 380mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.35A Pulsed drain current: 1.4A Power dissipation: 0.38W Case: DFN0606-3; SOT8001 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |