Продукція > NEXPERIA > NX7002BKMBYL
NX7002BKMBYL

NX7002BKMBYL Nexperia

4375111991552040nx7002bkmb.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.07 грн
20000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX7002BKMBYL Nexperia

Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NX7002BKMBYL за ціною від 2.07 грн до 25.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA 4375111991552040nx7002bkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia 4375111991552040nx7002bkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.22 грн
20000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia USA Inc. NX7002BKMB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA NX7002BKMB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.68W
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 5801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.27 грн
40+10.09 грн
59+6.70 грн
100+5.55 грн
329+2.81 грн
904+2.66 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia USA Inc. NX7002BKMB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 10263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.00 грн
30+10.79 грн
100+4.74 грн
500+3.79 грн
1000+3.64 грн
2000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA NX7002BKMB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.68W
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5801 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.33 грн
24+12.57 грн
50+8.04 грн
100+6.66 грн
329+3.38 грн
904+3.20 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia NX7002BKMB-1319043.pdf MOSFETs NX7002BKMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 25378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.42 грн
21+16.96 грн
100+6.13 грн
1000+3.71 грн
2500+3.25 грн
10000+2.50 грн
20000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA NX7002BKMB.pdf Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA NX7002BKMB.pdf Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia 4375111991552040nx7002bkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.