на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5076+ | 1.21 грн |
| 6000+ | 1.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX7002BKR Nexperia
Description: NEXPERIA - NX7002BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NX7002BKR за ціною від 1.21 грн до 22.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NX7002BKR | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
на замовлення 86520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKR | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 60 V, dual N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 19834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.9A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.9A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |