NX7002BKR Nexperia


39614427130981712nx7002bk.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5076+1.29 грн
6000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 5076 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX7002BKR Nexperia

Description: NEXPERIA - NX7002BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Інші пропозиції NX7002BKR за ціною від 1.34 грн до 10.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NX7002BKR NX7002BKR Nexperia 39614427130981712nx7002bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10136+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 10136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BKR Nexperia USA Inc. NX7002BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 22459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.03 грн
6000+1.74 грн
9000+1.63 грн
15000+1.41 грн
21000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BKR Nexperia 39614427130981712nx7002bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6667+2.13 грн
7043+2.01 грн
10274+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 6667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BKR Nexperia 39614427130981712nx7002bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.14 грн
6000+2.01 грн
9000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BKR Nexperia 39614427130981712nx7002bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6466+2.19 грн
21000+2.00 грн
42000+1.87 грн
63000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 6466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BKR Nexperia USA Inc. NX7002BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 23018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.10 грн
49+6.13 грн
100+3.78 грн
500+2.56 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BKR Nexperia NX7002BK.pdf MOSFETs 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
на замовлення 19834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000774600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX7002BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000774600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX7002BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR 39614427130981712nx7002bk.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10136+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 10136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BK.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 22459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.03 грн
6000+1.74 грн
9000+1.63 грн
15000+1.41 грн
21000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR 39614427130981712nx7002bk.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6667+2.13 грн
7043+2.01 грн
10274+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 6667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR 39614427130981712nx7002bk.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.14 грн
6000+2.01 грн
9000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR 39614427130981712nx7002bk.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6466+2.19 грн
21000+2.00 грн
42000+1.87 грн
63000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 6466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BK.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 23018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.10 грн
49+6.13 грн
100+3.78 грн
500+2.56 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR NX7002BK.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
на замовлення 19834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR PHGL-S-A0000774600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKR PHGL-S-A0000774600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.