Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX7002BKXBZ Nexperia
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 285mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NX7002BKXBZ за ціною від 4.91 грн до 4.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NX7002BKXBZ | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
NX7002BKXBZ | Nexperia |
MOSFETs SOT1216 N-CH 60V .26A |
на замовлення 18051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
NX7002BKXBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 285mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
NX7002BKXBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 285mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| NX7002BKXBZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15000+ | 4.91 грн |
| NX7002BKXBZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1216 N-CH 60V .26A
MOSFETs SOT1216 N-CH 60V .26A
на замовлення 18051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NX7002BKXBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX7002BKXBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





