NXH003P120M3F2PTHG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 979W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14217.21 грн |
| 20+ | 12896.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH003P120M3F2PTHG onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 979W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA, Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8).
Інші пропозиції NXH003P120M3F2PTHG за ціною від 15330.73 грн до 15963.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH003P120M3F2PTHG | onsemi |
MOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NXH003P120M3F2PTHG |
|
Виробник: onsemi
MOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
MOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15963.24 грн |
| 10+ | 15330.73 грн |