Продукція > ONSEMI > NXH004P120M3F2PTHG
NXH004P120M3F2PTHG

NXH004P120M3F2PTHG onsemi


nxh004p120m3f2pthg-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13077.54 грн
20+11566.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH004P120M3F2PTHG onsemi

Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 284A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 785W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NXH004P120M3F2PTHG за ціною від 13389.34 грн до 14301.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH004P120M3F2PTHG NXH004P120M3F2PTHG Виробник : ONSEMI 4018419.pdf Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 284A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 785W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14137.94 грн
5+13827.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHG NXH004P120M3F2PTHG Виробник : onsemi NXH004P120M3F2PTHG_D-3367009.pdf MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14301.78 грн
10+13389.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHG Виробник : ON Semiconductor nxh004p120m3f2pthg-d.pdf Silicon Carbide Module -Elite SIC, 4mohm SIC M3 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.