NXH004P120M3F2PTNG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13787.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH004P120M3F2PTNG onsemi
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 338A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.098kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH004P120M3F2PTNG за ціною від 14884.82 грн до 17011.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH004P120M3F2PTNG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
NXH004P120M3F2PTNG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 338A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.098kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| NXH004P120M3F2PTNG | Виробник : ON Semiconductor |
NXH004P120M3F2PTNG |
товару немає в наявності |