NXH004P120M3F2PTNG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13614.59 грн |
| 20+ | 12280.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH004P120M3F2PTNG onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1100W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA, Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8).
Інші пропозиції NXH004P120M3F2PTNG за ціною від 14724.44 грн до 15266.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH004P120M3F2PTNG | onsemi |
MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NXH004P120M3F2PTNG |
|
Виробник: onsemi
MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
MOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15266.76 грн |
| 20+ | 14724.44 грн |