NXH006P120M3F2PTHG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 556W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 191A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11914pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 622nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 80mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10310.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH006P120M3F2PTHG onsemi
Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 191A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: PIM, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NXH006P120M3F2PTHG за ціною від 9681.82 грн до 12460.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH006P120M3F2PTHG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 191A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NXH006P120M3F2PTHG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NXH006P120M3F2PTHG | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide Module MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||
| NXH006P120M3F2PTHG | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 191A; PIM36; Press-in PCB Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Technology: SiC Mechanical mounting: screw Case: PIM36 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 14.6mΩ Drain current: 191A Pulsed drain current: 382A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 556W Topology: MOSFET half-bridge Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |