Продукція > ONSEMI > NXH008P120M3F1PTG
NXH008P120M3F1PTG

NXH008P120M3F1PTG onsemi

nxh008p120m3f1-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6894.31 грн
10+6749.54 грн
112+5572.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH008P120M3F1PTG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 145A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 382W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA.

Інші пропозиції NXH008P120M3F1PTG за ціною від 5615.12 грн до 7649.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH008P120M3F1PTG NXH008P120M3F1PTG Виробник : onsemi nxh008p120m3f1-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7649.56 грн
10+5953.12 грн
28+5615.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PTG Виробник : ONSEMI nxh008p120m3f1-d.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 145A; PIM18; Press-in PCB
Case: PIM18
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 18.1mΩ
Drain current: 145A
Power dissipation: 382W
Pulsed drain current: 436A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: in-tray
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.