NXH008T120M3F2PTHG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 371W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9129pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11946.09 грн |
| 20+ | 11298.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH008T120M3F2PTHG onsemi
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 371W, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 29Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NXH008T120M3F2PTHG за ціною від 11459.03 грн до 13059.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH008T120M3F2PTHG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NXH008T120M3F2PTHG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 371W Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 29Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| NXH008T120M3F2PTHG | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 127A; PIM29; Press-in PCB Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 127A Case: PIM29 Topology: 3-level inverter TNPC Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 15mΩ Pulsed drain current: 387A Power dissipation: 371W Technology: SiC Gate-source voltage: -10...22V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |