на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9511.92 грн |
| 10+ | 8683.94 грн |
| 20+ | 7273.04 грн |
| 60+ | 7186.65 грн |
| 100+ | 7099.53 грн |
| 260+ | 7030.71 грн |
| 500+ | 6994.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH008T120M3F2PTHG onsemi
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 371W, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 29Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NXH008T120M3F2PTHG за ціною від 10832.00 грн до 11729.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH008T120M3F2PTHG | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIMPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 371W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9129pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 100A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NXH008T120M3F2PTHG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 371W Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 29Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|