NXH010P120M3F1PG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5044.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH010P120M3F1PG onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 272W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA.
Інші пропозиції NXH010P120M3F1PG за ціною від 4995.72 грн до 7017.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH010P120M3F1PG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|