NXH010P120MNF1PTG onsemi
на замовлення 56 шт:
термін постачання 1095-1104 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11353.28 грн |
| 10+ | 10481.43 грн |
| 28+ | 8822.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH010P120MNF1PTG onsemi
Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 250W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA, Part Status: Active.
Інші пропозиції NXH010P120MNF1PTG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH010P120MNF1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive Tray |
товар відсутній |
|
| NXH010P120MNF1PTG | Виробник : onsemi |
Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 250W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA Part Status: Active |
товар відсутній |