NXH010P120MNF1PTNG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7526.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH010P120MNF1PTNG onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 114A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 250W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA.
Інші пропозиції NXH010P120MNF1PTNG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH010P120MNF1PTNG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A |
товару немає в наявності |
||
 |
NXH010P120MNF1PTNG | Виробник : onsemi |
Discrete Semiconductor Modules SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material, Nickel Plated |
товару немає в наявності |