Продукція > ONSEMI > NXH010P90MNF1PTG
NXH010P90MNF1PTG

NXH010P90MNF1PTG onsemi

nxh010p90mnf1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9343.89 грн
28+7882.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH010P90MNF1PTG onsemi

Description: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 154A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 328W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm.

Інші пропозиції NXH010P90MNF1PTG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NXH010P90MNF1PTG NXH010P90MNF1PTG onsemi NXH010P90MNF1_D-2944159.pdf MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTG NXH010P90MNF1PTG ONSEMI 3708147.pdf Description: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 328W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTG NXH010P90MNF1_D-2944159.pdf
NXH010P90MNF1PTG
Виробник: onsemi
MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTG 3708147.pdf
NXH010P90MNF1PTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 328W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.