NXH010P90MNF1PTG onsemi
на замовлення 56 шт:
термін постачання 906-915 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11635.37 грн |
| 10+ | 10741.92 грн |
| 28+ | 9040.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH010P90MNF1PTG onsemi
Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOH, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 328W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA, Part Status: Active.
Інші пропозиції NXH010P90MNF1PTG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH010P90MNF1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive Tray |
товар відсутній |
||
| NXH010P90MNF1PTG | Виробник : onsemi |
Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOH Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 328W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA Part Status: Active |
товар відсутній |