NXH010P90MNF1PTG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9623.56 грн |
| 10+ | 8407.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH010P90MNF1PTG onsemi
Description: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 154A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 328W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH010P90MNF1PTG за ціною від 9367.46 грн до 11922.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH010P90MNF1PTG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 328W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NXH010P90MNF1PTG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM |
на замовлення 28 шт: термін постачання 98-107 дні (днів) |
|
||||||||
| NXH010P90MNF1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive Tray |
товару немає в наявності |