NXH011F120M3F2PTHG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 244W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7982.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH011F120M3F2PTHG onsemi
Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 244W, Bauform - Transistor: PIM, Anzahl der Pins: 34Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NXH011F120M3F2PTHG за ціною від 7807.50 грн до 10471.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH011F120M3F2PTHG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 244W Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 34Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NXH011F120M3F2PTHG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NXH011F120M3F2PTHG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 105A |
товару немає в наявності |