Продукція > ONSEMI > NXH015P120M3F1PTG
NXH015P120M3F1PTG

NXH015P120M3F1PTG onsemi


nxh015p120m3f1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 77A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 198W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4696pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 30mA
на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5147.60 грн
10+3951.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH015P120M3F1PTG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 77A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 198W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4696pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 30mA.

Інші пропозиції NXH015P120M3F1PTG за ціною від 3977.79 грн до 5767.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH015P120M3F1PTG NXH015P120M3F1PTG Виробник : onsemi NXH015P120M3F1_D-3473577.pdf MOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5767.55 грн
10+5152.59 грн
28+4324.93 грн
56+4170.81 грн
112+4016.68 грн
252+3977.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.