Продукція > ONSEMI > NXH020F120MNF1PG

NXH020F120MNF1PG onsemi

Name: NXH020F120MNF1PG
Brand: onsemi
SKU: 39550969-3
Price: 10598.06 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	10598.06 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NXH020F120MNF1PG onsemi

Description: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 119W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5).

Інші пропозиції NXH020F120MNF1PG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NXH020F120MNF1PG	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NXH020F120MNF1PG	Виробник : onsemi	MOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NXH020F120MNF1PG	Виробник : ONSEMI	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 51A Case: PIM22 Topology: H-bridge Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 31mΩ Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 211W Technology: SiC Gate-source voltage: -15...25V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.