NXH020F120MNF1PG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10311.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH020F120MNF1PG onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 119W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5).
Інші пропозиції NXH020F120MNF1PG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH020F120MNF1PG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A |
товару немає в наявності |
||
 |
NXH020F120MNF1PG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM |
товару немає в наявності |