Продукція > ONSEMI > NXH020F120MNF1PTG
NXH020F120MNF1PTG

NXH020F120MNF1PTG onsemi

nxh020f120mnf1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10468.25 грн
28+9053.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH020F120MNF1PTG onsemi

Description: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NXH020F120MNF1PTG за ціною від 11190.45 грн до 14084.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NXH020F120MNF1PTG NXH020F120MNF1PTG onsemi nxh020f120mnf1-d.pdf MOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11846.00 грн
10+11190.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTG ONSEMI 3672854.pdf Description: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14084.29 грн
5+13362.32 грн
10+12640.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTG nxh020f120mnf1-d.pdf
NXH020F120MNF1PTG
Виробник: onsemi
MOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+11846.00 грн
10+11190.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTG 3672854.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+14084.29 грн
5+13362.32 грн
10+12640.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.