NXH020F120MNF1PTG onsemi
Виробник: onsemiMOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12752.55 грн |
| 10+ | 11742.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH020F120MNF1PTG onsemi
Description: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH020F120MNF1PTG за ціною від 9929.25 грн до 12318.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH020F120MNF1PTG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| NXH020F120MNF1PTG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
NXH020F120MNF1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray |
товару немає в наявності |