NXH020P120MNF1PG onsemi
Виробник: onsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9694.51 грн |
| 10+ | 8539.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH020P120MNF1PG onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 51A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 119W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA.
Інші пропозиції NXH020P120MNF1PG за ціною від 8283.66 грн до 8283.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH020P120MNF1PG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 51A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| NXH020P120MNF1PG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A |
товару немає в наявності |