NXH020P120MNF1PTG onsemi
Виробник: onsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8163.51 грн |
| 10+ | 7346.4 грн |
| 28+ | 6094.57 грн |
| 56+ | 5960.39 грн |
| 112+ | 5812.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH020P120MNF1PTG onsemi
Description: SIC 2N-CH 1200V 51A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 119W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA.
Інші пропозиції NXH020P120MNF1PTG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH020P120MNF1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray |
товар відсутній |
||
| NXH020P120MNF1PTG | Виробник : onsemi |
Description: SIC 2N-CH 1200V 51A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA |
товар відсутній |