NXH020P120MNF1PTG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9680.58 грн |
| 5+ | 8973.31 грн |
| 10+ | 8266.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH020P120MNF1PTG ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 18Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH020P120MNF1PTG за ціною від 7418.58 грн до 8969.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH020P120MNF1PTG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 51A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 119W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| NXH020P120MNF1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
NXH020P120MNF1PTG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM |
товару немає в наявності |