Продукція > ONSEMI > NXH020U90MNF2PTG

NXH020U90MNF2PTG onsemi

Name: NXH020U90MNF2PTG
Brand: onsemi
SKU: 40013492-3
Price: 10763.14 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	10763.14 грн
20+	9401.95 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NXH020U90MNF2PTG onsemi

Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul, tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul, euEccn: NLR, Verlustleistung: 352W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NXH020U90MNF2PTG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	NXH020U90MNF2PTG	onsemi	MOSFET Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER	на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	NXH020U90MNF2PTG	ONSEMI	Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul euEccn: NLR Verlustleistung: 352W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

NXH020U90MNF2PTG

Виробник: onsemi
MOSFET Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NXH020U90MNF2PTG

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.