NXH020U90MNF2PTG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9477.98 грн |
| 5+ | 9477.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH020U90MNF2PTG ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul, tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul, euEccn: NLR, Verlustleistung: 352W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NXH020U90MNF2PTG за ціною від 12224.08 грн до 12889.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH020U90MNF2PTG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 900V 149A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 352W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
NXH020U90MNF2PTG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
| NXH020U90MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
SiC Modules, Vienna Module SiC MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||
| NXH020U90MNF2PTG | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 900V Drain current: 149A Case: PIM20 Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 10mΩ Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 352W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...18V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
| NXH020U90MNF2PTG | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 900V Drain current: 149A Case: PIM20 Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 10mΩ Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 352W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...18V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |