NXH030F120M3F1PTG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
FET Feature: Depletion Mode
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5147.60 грн |
| 10+ | 3951.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH030F120M3F1PTG onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 100W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V, FET Feature: Depletion Mode, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5).
Інші пропозиції NXH030F120M3F1PTG за ціною від 3977.79 грн до 5768.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH030F120M3F1PTG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE |
на замовлення 28 шт: термін постачання 336-345 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NXH030F120M3F1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
SiC MOSFET |
товару немає в наявності |