NXH030F120M3F1PTG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
FET Feature: Depletion Mode
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5130.02 грн |
| 28+ | 3823.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH030F120M3F1PTG onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 100W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V, FET Feature: Depletion Mode, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5).
Інші пропозиції NXH030F120M3F1PTG за ціною від 4206.32 грн до 6477.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH030F120M3F1PTG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NXH030F120M3F1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
SiC MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||
| NXH030F120M3F1PTG | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 38A; PIM22; Press-in PCB Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 38A Case: PIM22 Topology: H-bridge Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 68.2mΩ Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 100W Technology: SiC Gate-source voltage: -10...22V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |