Продукція > ONSEMI > NXH040F120MNF1PG
NXH040F120MNF1PG

NXH040F120MNF1PG onsemi

nxh040f120mnf1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5425.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH040F120MNF1PG onsemi

Description: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 74W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5).

Інші пропозиції NXH040F120MNF1PG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH040F120MNF1PG Виробник : ON Semiconductor nxh040f120mnf1-d.pdf NXH040F120MNF1PG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PG Виробник : onsemi NXH040F120MNF1_D-3006602.pdf onsemi PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.