NXH040F120MNF1PTG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6554.20 грн |
| 28+ | 5137.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH040F120MNF1PTG onsemi
Description: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH040F120MNF1PTG за ціною від 6498.87 грн до 9989.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH040F120MNF1PTG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NXH040F120MNF1PTG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
NXH040F120MNF1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
| NXH040F120MNF1PTG | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; PIM22; Press-in PCB Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Case: PIM22 Topology: H-bridge Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 61mΩ Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 113W Technology: SiC Gate-source voltage: -15...25V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |