Продукція > ONSEMI > NXH040F120MNF1PTG
NXH040F120MNF1PTG

NXH040F120MNF1PTG onsemi

nxh040f120mnf1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6316.29 грн
28+4950.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH040F120MNF1PTG onsemi

Description: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, Verlustleistung: 74W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

Інші пропозиції NXH040F120MNF1PTG за ціною від 6448.44 грн до 7330.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NXH040F120MNF1PTG NXH040F120MNF1PTG onsemi nxh040f120mnf1-d.pdf MOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
на замовлення 26 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+7330.11 грн
10+6448.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTG ONSEMI 3672855.pdf Description: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTG nxh040f120mnf1-d.pdf
NXH040F120MNF1PTG
Виробник: onsemi
MOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
на замовлення 26 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7330.11 грн
10+6448.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTG 3672855.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.