Продукція > ONSEMI > NXH040P120MNF1PG

NXH040P120MNF1PG onsemi

Name: NXH040P120MNF1PG
Brand: onsemi
SKU: 5224202-4
Price: 5585.39 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	5165.54 грн
28+	3856.19 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NXH040P120MNF1PG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 30A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 74W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA.

Інші пропозиції NXH040P120MNF1PG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NXH040P120MNF1PG	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NXH040P120MNF1PG	Виробник : onsemi	MOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm SiC M1 MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NXH040P120MNF1PG	Виробник : ONSEMI	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; PIM18; Press-in PCB Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Case: PIM18 Topology: MOSFET half-bridge Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 61mΩ Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 113W Technology: SiC Gate-source voltage: -15...25V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.