NXH040P120MNF1PTG onsemi
на замовлення 28 шт:
термін постачання 1239-1248 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5906.8 грн |
| 10+ | 5315.96 грн |
| 28+ | 4410.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH040P120MNF1PTG onsemi
Description: SIC 2N-CH 1200V 30A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 74W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA.
Інші пропозиції NXH040P120MNF1PTG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH040P120MNF1PTG | Виробник : onsemi |
 Description: SIC 2N-CH 1200V 30APackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 74W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA |
товар відсутній |