NXH100B120H3Q0PTG onsemi
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4372.59 грн |
| 10+ | 3707.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH100B120H3Q0PTG onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5), IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 186 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V.
Інші пропозиції NXH100B120H3Q0PTG за ціною від 3294.18 грн до 4489.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH100B120H3Q0PTG | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIMPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5) IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 186 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|