NXH100B120H3Q0STG onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4004.63 грн |
| 24+ | 3672.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH100B120H3Q0STG onsemi
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5), IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 186 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V.
Інші пропозиції NXH100B120H3Q0STG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH100B120H3Q0STG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 186000mW Tray |
товару немає в наявності |
||
 |
NXH100B120H3Q0STG | Виробник : onsemi |
IGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM) |
товару немає в наявності |