Продукція > ONSEMI > NXH100T120L3Q0S1NG
NXH100T120L3Q0S1NG

NXH100T120L3Q0S1NG onsemi


NXH100T120L3Q0S1NG_D-3223698.pdf Виробник: onsemi
IGBT Modules 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLATED DBC
на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5512.26 грн
10+4740.86 грн
24+3773.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH100T120L3Q0S1NG onsemi

Description: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5), Current - Collector (Ic) (Max): 54 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 122 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NXH100T120L3Q0S1NG за ціною від 3714.66 грн до 4389.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH100T120L3Q0S1NG Виробник : onsemi nxh100t120l3q0s1ng-d.pdf Description: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 122 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4389.56 грн
24+3842.74 грн
48+3714.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.