NXH160T120L2Q2F2S1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 181A 500W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH160T120L2Q2F2S1G onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 181A 500W 56-PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 181 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції NXH160T120L2Q2F2S1G за ціною від 7213.50 грн до 8249.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH160T120L2Q2F2S1G | onsemi |
IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NXH160T120L2Q2F2S1G |
|
Виробник: onsemi
IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8249.20 грн |
| 12+ | 7213.50 грн |