NXH200B100H4F2SG onsemi
Виробник: onsemiDescription: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10917.22 грн |
| 20+ | 9244.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH200B100H4F2SG onsemi
Description: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötstift, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 100A, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH200B100H4F2SG за ціною від 10521.56 грн до 12891.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH200B100H4F2SG | Виробник : onsemi |
IGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| NXH200B100H4F2SG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift euEccn: NLR Verlustleistung: 93W Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: EliteSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|