Продукція > ONSEMI > NXH200B100H4F2SG
NXH200B100H4F2SG

NXH200B100H4F2SG onsemi


nxh200b100h4f2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10966.76 грн
20+9286.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH200B100H4F2SG onsemi

Description: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötstift, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NXH200B100H4F2SG за ціною від 8488.28 грн до 10698.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH200B100H4F2SG Виробник : ONSEMI nxh200b100h4f2-d.pdf Description: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9248.08 грн
5+8868.61 грн
10+8488.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SG Виробник : onsemi NXH200B100H4F2_D-3134838.pdf IGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10698.38 грн
10+10065.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.