Продукція > ONSEMI > NXH240B120H3Q1P1G
NXH240B120H3Q1P1G

NXH240B120H3Q1P1G onsemi

nxh240b120h3q1p1g-d.pdf Виробник: onsemi
IGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PIN
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7033.48 грн
10+6434.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH240B120H3Q1P1G onsemi

Description: 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4), IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 92 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 266 W, Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NXH240B120H3Q1P1G за ціною від 5676.17 грн до 7259.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH240B120H3Q1P1G NXH240B120H3Q1P1G Виробник : onsemi nxh240b120h3q1p1g-d.pdf Description: 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7259.31 грн
21+5676.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1P1G Виробник : ONSEMI nxh240b120h3q1p1g-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 92A; PIM32
Electrical mounting: Press-Fit
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM32
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 92A
Pulsed collector current: 276A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.