NXH25C120L2C2SG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2995.78 грн |
| 5+ | 2935.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH25C120L2C2SG ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 25A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: DIP, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 26Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], productTraceability: No, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 25A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH25C120L2C2SG за ціною від 4275.09 грн до 5564.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH25C120L2C2SG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG Packaging: Bulk Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) Mounting Type: Through Hole Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 26-DIP Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NXH25C120L2C2SG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG Packaging: Tube Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) Mounting Type: Through Hole Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 26-DIP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NXH25C120L2C2SG | Виробник : onsemi |
IGBT Modules TMPIM 1200V 25A CIB |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
NXH25C120L2C2SG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 20mW 26-Pin DIP Tube |
товару немає в наявності |