NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10801.62 грн |
| 12+ | 9441.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V, Dauer-Kollektorstrom: 303A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V, Verlustleistung Pd: 592W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 592W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 303A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NXH350N100H4Q2F2P1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH350N100H4Q2F2P1G | onsemi |
IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NXH350N100H4Q2F2P1G |
|
Виробник: onsemi
IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)