NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14338.63 грн |
| 12+ | 12932.79 грн |
| 36+ | 12446.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V, Dauer-Kollektorstrom: 303A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V, Verlustleistung Pd: 592W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 592W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 303A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NXH350N100H4Q2F2P1G за ціною від 11934.06 грн до 18272.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH350N100H4Q2F2P1G | Виробник : onsemi |
IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NXH350N100H4Q2F2P1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V Dauer-Kollektorstrom: 303A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V Verlustleistung Pd: 592W euEccn: NLR Verlustleistung: 592W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 303A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|