| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14367.94 грн |
| 12+ | 13327.75 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH350N100H4Q2F2S1G onsemi
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V, Verlustleistung Pd: 592W, Verlustleistung: 592W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV, Dauerkollektorstrom: 303A, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 303A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції NXH350N100H4Q2F2S1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH350N100H4Q2F2S1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V Verlustleistung Pd: 592W Verlustleistung: 592W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV Dauerkollektorstrom: 303A Produktpalette: EliteSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 303A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NXH350N100H4Q2F2S1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
Verlustleistung: 592W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 303A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
Verlustleistung: 592W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 303A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)