на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6426.84 грн |
| 12+ | 5740.86 грн |
| 30+ | 4432.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH35C120L2C2S1G onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 35A 26DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm), Mounting Type: Through Hole, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 26-DIP, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V.
Інші пропозиції NXH35C120L2C2S1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH35C120L2C2S1G | Виробник : onsemi |
Description: IGBT MOD 1200V 35A 26DIP Packaging: Tube Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) Mounting Type: Through Hole Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 26-DIP Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V |
товару немає в наявності |