NXH35C120L2C2SG onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 7139.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH35C120L2C2SG onsemi
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 35A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: DIP, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 26Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse], productTraceability: No, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 35A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH35C120L2C2SG за ціною від 6309.21 грн до 7689.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH35C120L2C2SG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 35A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: No Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 35A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NXH35C120L2C2SG | Виробник : onsemi |
IGBT Modules TMPIM 1200V 35A CIB |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NXH35C120L2C2SG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
NXH35C120L2C2SG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG Packaging: Tube Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) Mounting Type: Through Hole Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 26-DIP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V |
товару немає в наявності |