NXH400N100H4Q2F2PG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14261.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH400N100H4Q2F2PG onsemi
Description: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V, Dauer-Kollektorstrom: 409A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V, Verlustleistung Pd: 959W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 959W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 409A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH400N100H4Q2F2PG за ціною від 13338.48 грн до 17285.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH400N100H4Q2F2PG | Виробник : onsemi |
IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| NXH400N100H4Q2F2PG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V Dauer-Kollektorstrom: 409A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V Verlustleistung Pd: 959W euEccn: NLR Verlustleistung: 959W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV Produktpalette: EliteSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 409A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
NXH400N100H4Q2F2PG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Module N-CH 1000V 409A/409A/360A/360A 959W 42-Pin PIM Tray |
товару немає в наявності |