Продукція > ONSEMI > NXH40B120MNQ1SNG
NXH40B120MNQ1SNG

NXH40B120MNQ1SNG onsemi


nxh40b120mnq1sng-d.pdf Виробник: onsemi
MOSFET Modules 30KW Q1BOOST FULL SIC
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7843.81 грн
10+7341.21 грн
21+6355.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH40B120MNQ1SNG onsemi

Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Dreifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NXH40B120MNQ1SNG за ціною від 5062.25 грн до 11904.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NXH40B120MNQ1SNG NXH40B120MNQ1SNG Виробник : onsemi nxh40b120mnq1sng-d.pdf Description: 30KW Q1BOOST FULL SIC
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
Power - Max: 156 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11904.10 грн
21+10737.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNG Виробник : ONSEMI NXH40B120MNQ1SNG-D.PDF Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8387.11 грн
5+7338.62 грн
10+6080.92 грн
20+5062.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.