Продукція > ONSEMI > NXH450B100H4Q2F2SG
NXH450B100H4Q2F2SG

NXH450B100H4Q2F2SG onsemi

nxh450b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10354.06 грн
12+8428.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH450B100H4Q2F2SG onsemi

Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 234W, Verlustleistung: 234W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV, Dauerkollektorstrom: 101A, Produktpalette: EliteSiC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 101A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції NXH450B100H4Q2F2SG за ціною від 10101.09 грн до 13053.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NXH450B100H4Q2F2SG ONSEMI 3672861.pdf Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10522.11 грн
5+10311.60 грн
10+10101.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG onsemi nxh450b100h4q2f2-d.pdf IGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10865.00 грн
12+10362.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG ONSEMI nxh450b100h4q2f2-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 101A; PIM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+13053.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG 3672861.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10522.11 грн
5+10311.60 грн
10+10101.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10865.00 грн
12+10362.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 101A; PIM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+13053.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.