Продукція > ONSEMI > NXH450N65L4Q2F2S1G

NXH450N65L4Q2F2S1G onsemi


nxh450n65l4q2f2s1g-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 650V 167A 365W 40-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9300.74 грн
12+7873.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH450N65L4Q2F2S1G onsemi

Description: IGBT MOD 650V 167A 365W 40-PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47), IGBT Type: Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 167 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 365 W, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NXH450N65L4Q2F2S1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NXH450N65L4Q2F2S1G onsemi nxh450n65l4q2f2s1g-d.pdf IGBT Modules 120KW 1100V Q2PACK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1G nxh450n65l4q2f2s1g-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBT Modules 120KW 1100V Q2PACK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.