NXH50C120L2C2ES1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH50C120L2C2ES1G onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm), Mounting Type: Through Hole, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 26-DIP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V.
Інші пропозиції NXH50C120L2C2ES1G за ціною від 5876.13 грн до 8253.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH50C120L2C2ES1G | onsemi |
IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NXH50C120L2C2ES1G |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI
IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8253.39 грн |
| 12+ | 6966.67 грн |
| 30+ | 5899.39 грн |
| 54+ | 5876.13 грн |

