NXH50M65L4C2SG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5232.87 грн |
| 5+ | 5128.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH50M65L4C2SG ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: DIP, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: -, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NXH50M65L4C2SG за ціною від 3753.21 грн до 5442.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH50M65L4C2SG | Виробник : onsemi |
Description: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS Packaging: Tube Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm) Mounting Type: Through Hole Input: Single Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 27-DIP Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.877 nF @ 20 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NXH50M65L4C2SG | Виробник : onsemi |
IGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|