Продукція > ONSEMI > NXH50M65L4C2SG

NXH50M65L4C2SG ONSEMI



Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH50M65L4C2SG ONSEMI

Description: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: DIP, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 50A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NXH50M65L4C2SG за ціною від 3847.57 грн до 5579.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NXH50M65L4C2SG onsemi Description: IGBT MODULE 650V 50A 20MW 27-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.877 nF @ 20 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5529.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SG onsemi NXH50M65L4C2_D-2853824.pdf IGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+5579.00 грн
12+4983.63 грн
30+4183.87 грн
54+4034.15 грн
102+3885.18 грн
252+3847.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 50A 20MW 27-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.877 nF @ 20 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5529.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SG NXH50M65L4C2_D-2853824.pdf
Виробник: onsemi
IGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5579.00 грн
12+4983.63 грн
30+4183.87 грн
54+4034.15 грн
102+3885.18 грн
252+3847.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.